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IR HiRel GaN HEMT –氮化鎵晶體管

發(fā)布時間:2021-02-22 17:15:14     瀏覽:1837

IR-HiRel氮化鎵(GaN)比硅具有根本的優(yōu)勢。特別是高臨界電場使得GaN-HEMTs成為功率半導(dǎo)體器件的研究熱點。與硅MOSFET相比,GaN-HEMTs具有優(yōu)異的動態(tài)導(dǎo)通電阻和較小的電容,非常適合于高速開關(guān)。IR-HiRel不僅節(jié)省了功率,降低了系統(tǒng)的整體成本,而且允許更高的工作頻率,提高了功率密度和系統(tǒng)的整體效率。

IR-HiRel GaN功率晶體管最重要的特性是其反向恢復(fù)性能。因為IR HiReCoolGaN? 晶體管沒有少數(shù)載流子和體二極管,所以它們沒有反向恢復(fù)。

使用

IR-HiRel系列在許多應(yīng)用中給各種系統(tǒng)帶來了可觀的價值。這些e-mode HEMTs針對服務(wù)器和消費類工業(yè)應(yīng)用,具有市場上最強大和性能概念,例如服務(wù)器、數(shù)據(jù)通信、電信、適配器/充電器、無線充電和音頻。

在高功率應(yīng)用中使用IR-HiRelCoolGaN? 服務(wù)器電源和電信應(yīng)用程序可以節(jié)省成本并增加每個機架的電源。由于其硬開關(guān)功能,它還允許更簡單的控制方案和提高效率相比,下一個最好的硅替代品。

GaN技術(shù)在適配器和充電器電源方面的突破是功率密度小、重量輕、效率高的解決方案。用IR-HiRel實現(xiàn)CoolGaN? 無線功率傳輸可以在更高的功率水平上實現(xiàn)高效率,實現(xiàn)E級設(shè)計中的最佳調(diào)節(jié)。

CoolGaN? 400V設(shè)備D級音頻最大限度地提高音頻性能,提供卓越的音質(zhì)。此外,幾乎沒有熱設(shè)計限制,它非常易于使用,并與IR HiRelERU兼容? D類音頻放大器兼容。

深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司,優(yōu)勢渠道供貨IR HiRel高可靠性系列產(chǎn)品,歡迎各界前來咨詢。

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IGT40R070D1 E8220

PG-HSOF-8

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