MICRON DDR2 內(nèi)存
發(fā)布時(shí)間:2021-07-09 17:01:56 瀏覽:1141
MICRON在技術(shù)創(chuàng)新內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)域出現(xiàn)全球現(xiàn)實(shí),狀況MICRON方案加快了數(shù)據(jù)信息智能化的轉(zhuǎn)換,鼓勵(lì)著全球以解決速率學(xué)習(xí)培訓(xùn)、溝通交流和進(jìn)步。MICRON提供世界上最廣泛的技術(shù)應(yīng)用組合,作為當(dāng)今社會(huì)最重要的突發(fā)性突破的核心理念,如人工智能技術(shù)和自動(dòng)駕駛汽車。
MICRON DDR2 內(nèi)存
Width:x8, x16
Voltage:1.8V
Package:FBGA
Clock Rate:400 MHz
Op. Temp:0C to +85C, -40C to +95C, -40C to +105C, -40C to 125C
深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司,以庫(kù)存MICRON高可靠性內(nèi)存顆粒芯片和工業(yè)級(jí)內(nèi)存條為特色產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)。歡迎咨詢合作。
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功能/選項(xiàng) | DDR2 | DDR3 | DDR3優(yōu)勢(shì) |
電壓(內(nèi)核和 I/O) | 1.8V | 1.5V | 降低內(nèi)存系統(tǒng)電源需求 |
標(biāo)準(zhǔn)低壓選項(xiàng) | 不 | 是 (1.35V) | 提供與 1.5V 標(biāo)準(zhǔn) DDR3 匹配的低電壓 DDR2 |
密度(生產(chǎn)) | 256Mb 至 4Gb | 1Gb 至 4Gb | 高密度組件以更少的芯片數(shù)量實(shí)現(xiàn)大內(nèi)存子系統(tǒng) |
預(yù)?。?/span>MIN WRITE 突發(fā)) | 4 位 | 8 位 | 降低核心速度依賴性以提高產(chǎn)量 |
t CK - DLL 已啟用 | 125 兆赫至 400 兆赫 | 300 兆赫至 800 兆赫 | 支持更高的數(shù)據(jù)速率 |
數(shù)據(jù)速率(每針 MT/s) | 533、667、800 Mb/s | 800,1066,1333,1600 Mb/s | 遷移到更高的數(shù)據(jù)帶寬 |
突發(fā)長(zhǎng)度 (BL) | BL4、BL8 | BC4、BL8 | BC4 減輕了一些“BL8”要求 |
突發(fā)類型 | 固定,通過(guò) LMR | (1) 固定,通過(guò) MRS | OTF 允許在沒有 MRS 命令的情況下在 BC4 和 BL8 之間切換 |
數(shù)據(jù)選通 | 差分或單端 | 僅差速器 | 通過(guò)減少選通串?dāng)_提高系統(tǒng)時(shí)序裕度 |
ODT(芯片端接) | R TT : 50, 75, 150 歐姆 | R T T : 20,30,40,60,120 歐姆 | 更多 ODT 選項(xiàng)可提高信號(hào)保真度并支持更高的數(shù)據(jù)速率 |
動(dòng)態(tài) ODT | 沒有任何 | 120, 60 歐姆 | 改進(jìn)了多個(gè)時(shí)隙中的信令;點(diǎn)對(duì)點(diǎn)應(yīng)用中的引腳減少 |
DQ 驅(qū)動(dòng)器阻抗 | 18 歐姆 | 34 歐姆 | 針對(duì) 2 插槽和點(diǎn)對(duì)點(diǎn)系統(tǒng)進(jìn)行了優(yōu)化 |
驅(qū)動(dòng)器/ODT 校準(zhǔn) | 沒有任何 | 外接電阻 | 提高電壓和溫度范圍內(nèi)的精度 |
多用途寄存器 (MPR) | 沒有任何 | 四個(gè)寄存器 - 1 個(gè)定義 3 個(gè) RFU | 支持讀取校準(zhǔn) |
寫調(diào)平 | 沒有任何 | DQS 捕獲 CK,DQ | 校正模塊使用的飛越布局 |
模塊 | 240 針 SODIMM(無(wú)緩沖、寄存、全緩沖) | 240 針 UDIMM;RDIMM、FBDIMM 待定; | 改進(jìn)的布局、更多的外形和供電設(shè)計(jì);DDR3 也采用了 fly-by 架構(gòu) |
芯片組支持 | Legacy | 最新的 | 較新的芯片組功能 |
附加延遲 | 是的 | 是的 | 具有 CAS 延遲的曲目 |
推薦資訊
PVG612SPBF固態(tài)繼電器是一款高性能的光伏繼電器,適用于12至48V交流或直流電源的高電流隔離開關(guān),具有高負(fù)載電流容量、高脫態(tài)電阻和4000 VRMS的輸入輸出隔離,在可編程邏輯控制器、計(jì)算機(jī)、音頻設(shè)備、電力供應(yīng)和配電、顯示器和指示器控制以及工業(yè)自動(dòng)化等多個(gè)領(lǐng)域都有廣泛應(yīng)用。
VN05系列是一款高精度恒溫晶體振蕩器(OCXO),專為高要求的應(yīng)用場(chǎng)景設(shè)計(jì),采用雙層密封石英晶體技術(shù),確保在高振動(dòng)環(huán)境中保持卓越性能,并具備極低的相位噪聲。其頻率范圍為10.000MHz至50.000MHz,頻率穩(wěn)定性高達(dá)±5ppb至±100ppb,相位噪聲在1Hz處低至-90dBc/Hz。該系列支持寬工作電壓(3.3V至12.0V)和溫度范圍(可選0~+70°C、-20~+70°C、-40~+85°C),并提供數(shù)字(TTL/CMOS或LVCMOS)和模擬(正弦波)輸出格式。此外,VN05系列具備頻率微調(diào)能力(最小±500ppb)、低功耗(穩(wěn)態(tài)功耗最大1.5W)和緊湊封裝(25.40mm×22.00mm×13.00mm),并支持定制頻率,廣泛應(yīng)用于通信基站、雷達(dá)系統(tǒng)、高精度測(cè)量?jī)x器以及航空航天和國(guó)防領(lǐng)域。
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