精品无码亚洲一区二区三区毛,偷拍激情视频一区二区三区,丰满熟妇乱又伦精品,日韩欧美 a级

推薦資訊

• 
  vishay CBB3100BLGKWS薄膜二進(jìn)制MOS電容芯片 2025-03-18 09:14:46

  vishay CBB 和 CBC 是薄膜二進(jìn)制 MOS 電容芯片，每片包含五個(gè)以二進(jìn)制增量排列的不同容量電容，提供多種容量選擇。這些芯片采用 Vishay Electro-Films 的先進(jìn)薄膜技術(shù)制造，經(jīng)過 100% 電氣測(cè)試和目視檢查，符合 MIL-STD-883 標(biāo)準(zhǔn)。CBB 和 CBC 分別具有 0402 和 0404 封裝，容量范圍分別為最高 31 pF 和 93 pF，采用二氧化硅介質(zhì)材料和半導(dǎo)體硅基底，背面鍍金，具有低介質(zhì)損耗。它們?cè)O(shè)計(jì)用于通過線鍵合技術(shù)調(diào)整混合電路中的電容。

• 
  Solitron SMF473 400V N溝道功率MOSFET 2024-09-10 09:10:21

  Solitron SMF473 是一款400V N溝道功率MOSFET，專為高功率應(yīng)用設(shè)計(jì)，具有低R DS(on)（400V時(shí)40mΩ，10V時(shí)22mΩ）、高耐壓（400V）、高輸入和輸出電容（C iss 2900pF，C oss 3900pF）以及低反向恢復(fù)電荷（Q rr 22nC）。其連續(xù)漏極電流ID為23A，脈沖漏極電流IDM為92A，最大功率耗散P為250W，線性降額因子2W/°C，工作溫度范圍-55°C至150°C。