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  IR HiRel GaN HEMT –氮化鎵晶體管 2021-02-22 17:15:14

  ?IR-HiRel?氮化鎵（GaN）比硅具有根本的優(yōu)勢。特別是高臨界電場使得GaN-HEMTs成為功率半導(dǎo)體器件的研究熱點。與硅MOSFET相比，GaN-HEMTs具有優(yōu)異的動態(tài)導(dǎo)通電阻和較小的電容，非常適合于高速開關(guān)。IR-HiRel不僅節(jié)省了功率，降低了系統(tǒng)的整體成本，而且允許更高的工作頻率，提高了功率密度和系統(tǒng)的整體效率。

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  HCME0995大電流SMT功率電感器DELTA臺達 2024-09-29 10:24:01

  HCME0995大電流SMT功率電感器是臺達（DELTA）公司推出的一款高性能電感器，專為高電流應(yīng)用設(shè)計。該電感器具有緊湊的表面貼裝封裝，能夠有效降低電路中的電流噪聲和電磁干擾，確保設(shè)備的穩(wěn)定性和可靠性。其核心材料和繞組設(shè)計使得它在高頻率下也能保持優(yōu)良的性能，適合于開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器等多種應(yīng)用場景。